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IXTA 160N085T IXTP 160N085T
IXTQ 160N085T
240
Fig. 7. Input Adm ittance
140
Fig. 8. Transconductance
200
T J = -40 o C
25 o C
120
160
150 o C
100
T J = -40 o C
120
80
80
60
40
25 o C
150 o C
40
0
20
0
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
40
80
120
160
200
240
280
300
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 42.5V
250
200
150
100
8
7
6
5
4
3
I D = 80A
I G = 10mA
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 175 o C
1000
C iss
C oss
R DS(on) Limit
T C = 25 o C
25μs
100
100μs
100
10
f = 1MHz
C rss
10
DC
1ms
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
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IXTQ180N085T 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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